графічне позначення радіоелементів

емтерв. ·х число визнача число входв елемента. Випускаються ЛЕ И-НЕ з 2, 3, 4  8 входами. Вс входи ЛЕ И-НЕ рвноцнн. Ми розглянемо найпростший випадок – ЛЕ з двома входами. Крм транзисторв елемент мстить чотири резистора  один дод. Структура реального ЛЕ вдрзняться вд зображеного на малюнку. Крм показаних схемних елементв тут  паразитн транзисторн та додн структури. При робот в нормальних режимах вони, однак, замкнен  ними можна спокйно знехтувати.

Напруга низького рвня хоча б на одному вход

Рис. 1.2. Логчний елемент ¶ – НЕ з вихдним напругою високого рвня: а – принципова схема, б – умовне графчне позначення

Схема базового ЛЕ И-НЕ смейства ТТЛ показана на рис. 1.1 та 1.2. Вн утворений п – р – / г-транзистори VTJ, VT2, VT3  VT4. Транзистор VT1 влаштований незвично: вн ма не один, а клька

Базов елементи рзних видв мкросхем (ТТЛ, ЕЗЛ, МОП, КМОП тощо) у функцональному вдношенн розрзняються. Базовим вважають елемент з найбльш простою структурою, на основ якого найлегше створювати нш електронн схеми. Для мкросхем ТТЛ таким елементом  логчна схема ¶-НЕ.

цю роль виконують логчн елементи (ЛЕ). Логчний елемент явля собою електронний пристрй, на входах  виходах якого сигнал може мати тльки один з двох дискретних рвнв напруги: низький або високий. Ц рвн зазвичай називають логчним нулем (нульовий сигнал) або логчно одиницею (одиничний сигнал). Вихдний сигнал пов'язаний з вхдними сигналами певно логчно операцю

На всх входах напруга високого рвня

Рис. 1.1. Логчний елемент ¶ – НЕ з вихдним напругою низького рвня: а – принципова схема, б – умовне графчне позначення

Якщо в пристроях, що збираються з окремих радоелементв, основним активним компонентом  транзистори, число яких визнача ступнь складност схеми, то в пристроях на ¶МС

В даний час для любителв найбльш доступн мкросхеми ТТЛ. З ц причини саме вони  розглядаються в книз.

КМОП – мкросхеми з симетричною структурою на польових транзисторах р-  п-типу.

МОП (або МДП) – мкросхеми на польових транзисторах структури метал – оксид – напвпровдник (метал – делектрик – напвпровдник);

ЕСЛ – мкросхеми емтерний-зв'язано логки на бполярних транзисторах;

ТТЛ – мкросхеми транзисторно-транзисторно логки на бполярних транзисторах;

Найбльше поширення мають так види ¶МС:

¶нтегральна мкросхема (¶МС), або, коротше, мкросхема, явля собою вирб з активних  пасивних елементв  з'днувальних провдникв, виконане в обсяз  на поверхн напвпровдникового кристала таким чином, що створються певна електронна схема. Кристал помщений в корпус для захисту вд зовншнх впливв (механчних, клматичних та н.) Характерна особливсть ¶МС – велика щльнсть упаковки елементв.

Будь електронний пристрй незалежно вд призначення  ступеня складност складаться з активних (транзистори, нтегральн мкросхеми)  пасивних (резистори, конденсатори, дросел) компонентв.

Опубликовано 15 Окт 2011 в рубриц « »

Пристрй  принцип д базового логчного елемента ¶-НЕ ТТЛ

Пристрй  принцип д базового логчного елемента ¶-НЕ ТТЛ | Свт електронних схем